Russian Diodes

↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
↓▼↓
↓↓▼
▼↓↓
- some of which i actually have - an incomplete quick look up - not all this data has been verified - for extreme operating modes you should refine the technicals - collated from random sources provided by Google

		U.oбp.max (В)	I.np.max (I.np.и.max) (мА(мА))	U.np (при I.np) (В(мА))	I.oбp (при U.oбp) (мкА(В))	t.вoc обр (при U.oбp) (нс(В))	С.д (при U.oбp) (пФ(В))	fд (мГц)
Д9К	DK19	30	30(98)	1(60)	60			0.1	Выпрямительный диод малой мощности
Д18		20	16(50)	1(20)	50(20)	100(10)	0.5(3)		Диод (универсальный)
Д104	CB100	100	30	2(2)	5(100)	500	0.7(1)	0.15
Д106		100	30	2(2)	5(30)	500	0.7(1)	0.15
Д220А		70	50(500)	1.5(50)	1(70)	500(30)	15(5)		Диод (универсальный)
Д223А	CB100	100	50	1(50)	1(100)
Д237А		200	300(10A×10мс,5A×30мс,)	1(300)	50(200)			0.001	Диод кремниевый диффузионный
Д237В		600	100(10A×10мс,5A×30мс,)	1(100)	50(600)
Д310		20	500(800)	0.55(500)	20(20)		15(20)		Диод германиевый, диффузионный, импульсный
Д231,Д231А,Д231Б		300			3000×20°C			0.0011	Диод кремниевый диффузионный
Д232,Д232А,Д232Б		400
Д232,Д233Б		500
Д234Б		600
Д231А,Д232А			10×130°C(<<30×75°C)	1×25°C(I.np.max)
Д231,Д232,Д233			10×75°C,5×130°C(<<15×75°C)	1×25°C(I.np.max)
Д231Б,Д232Б,Д233Б,Д234Б			5×75°C,2×130°C(<<6×75°C)	1×20°C(I.np.max) 1.5×25°C(I.np.max)
К(/2)Д202А		50	100(5000)	1	800(/1000)			0.005	Диод кремниевый, диффузионный
К(/2)Д202В		100	100(5000)	1	800(/1000)			0.005
К(/2)Д202Д		200	100(5000)	1	800(/1000)			0.005
К(/2)Д202Ж		300	100(5000)	1	800(/1000)			0.005
К(/2)Д202К	1N5400	280(400×400мкс)	1A×0см² *за пол-пер. 5A×150см² * (9A×1500мс) (30A×10мс)	1(3000)	800(/400)			0.0012
К(/2)Д202М		500	100(5000)	1	800(/1000)			0.005
К(/2)Д202Р		600
КД226А		100	1.7A×25°C 1A×70°C .75A×85°C (10A) (50A×10мс:15мин.)	1.4×25°C(1700) 1.7×-40°C(1700)	50(100)	250(1A)		0.035	Диод кремниевый диффузионный
КД226Б		200			50(200)
КД226В		400			50(400)
КД226Г		600			50(600)
КД226Д		800			50(800)
КД503А		30	20	1(10)	10(30)	10	5	350	Диод кремниевый, эпитаксиальный, импульсный
К(/2)Д504А		40	240×25°C...80×100°C (/300×35°C...100×125°C) RMS 80(2000×10мкс) RMS I.np.max(999×500мс)	0.8...1.2(100)	2(40)		20(5)		Диод кремниевый, сплавный, импульсный
КД521А		75	50(500)	1(50)	1(75)	4(10)	4(0)		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
КД521Б		60			1(60)
КД521В		50			1(50)
КД521Г		30			1(30)
КД521Д		12			1(12)
КД522А		30	100(1500)	1.1(100)	2(30)		2.2(0)		Диод кремниевый, эпитаксиально- планарный, импульсный
КД522Б	BAY42	50	100(1500)	1.1(100)	2(50)		2.2(0)
КЦ405А		600	1000	4(1000)	125(600)			0.005	Блок из кремниевых, диффузионных диодов
КЦ405В		400	1000	4(1000)	125(400)
КЦ405И		500	600	4(600)	125(500)
КЦ407А		400	500(3000)	2.5(200)	5(400)	5000		0.02

[EOF]